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参数目录38184
> IRF620 MOSFET N-CH 200V 6A TO-220
型号:
IRF620
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
STMicroelectronics
描述:
MOSFET N-CH 200V 6A TO-220
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IRF620 PDF
标准包装
1,000
系列
PowerMESH™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
800 毫欧 @ 3A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
27nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
350pF @ 25V
功率 - 最大
70W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商设备封装
TO-220AB
包装
管件
其它名称
497-3135
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